新材料正在重塑全球半導體產業競爭新格局。業內人士希望到2025年，碳化硅的供應商有足夠的產能，否則這個行業或許會面臨供需不平衡問題。雖然市場空間巨大，但其大規模商用仍需跨越多個方面的關卡。

在“新基建”和“雙碳”目標的推動下，我國第三代半導體產業正加速發展，有望成為綠色經濟的中流砥柱，引領新一輪產業革命。

而以碳化硅為代表的第三代半導體，也是支撐新能源汽車發展的關鍵技術之一，在電機控制器、車載充電器、DC/DC轉換器等零部件中發揮重要的作用。雖然其在汽車行業大規模普及尚待時日，但國內外企業瞄準第三代半導體的競爭已經開啟。

第三代半導體處在黃金賽道

從上世紀90年代才真正起步，中國半導體產業可謂一直在“自主可控”的道路上奮進。隨著第三代半導體嶄露頭角，我國半導體產業也迎來了新的發展契機。更為重要的是，我國正處在碳達峰階段，并將逐步過渡到碳中和時代，汽車領域的電氣化必將為其提供有力支撐。

從半導體的發展歷史看，硅、鍺為第一代半導體;砷化鎵、磷化銦為第二代半導體的代表;發展到第三代半導體，涌現出碳化硅、氮化鎵、氧化鋅、金剛石、氮化鋁等材料。其中，碳化硅、氮化鎵目前是技術相對成熟的材料。

在電力電子領域，電力供應與傳輸的開和關，可以用半導體的導電和不導電來實現，從而構成了功率半導體的基礎。而功率半導體，正是第三代半導體的主要用武之地。據悉，第三代半導體的應用場景通常為高溫、高壓、高功率場景，器件需要具有較好的耐高溫和散熱性能，以保證其工作壽命。第三代半導體主要應用于功率器件和射頻器件。從應用場景來看，碳化硅器件更適合高壓和高可靠性情景，應用在新能源汽車和工控等領域，氮化鎵器件更適合高頻情況，應用在5G基站等領域。

業界普遍認為，碳化硅是第三代半導體材料的代表，也是未來能源、交通、制造等領域的重要支撐技術。碳化硅的熱導率約是氮化鎵熱導率的3倍，具有更強的導熱性能，器件壽命更長，可靠性更高，系統所需的散熱系統更小。

當前，第三代半導體正處于快速發展的黃金賽道。2020年，我國第三代半導體產業電力電子和射頻電子總產值超過100億元，同比增長69.5%。其中，碳化硅、氮化鎵電力電子產值規模達44.7億元，同比增長54%。

從第三代半導體產業發展情況來看，全球市場基本形成了美國、歐洲、日本企業三足鼎立的態勢。雖然與國際巨頭仍有一定差距，但隨著下游市場的需求拉動，我國企業也開始奮起直追。

“新材料正在重塑全球半導體產業競爭新格局。”第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲說道。

新能源汽車或是主力市場

碳化硅功率器件被廣泛應用于新能源汽車中的主驅逆變器、DC/DC轉換器、充電系統中的車載充電機和充電樁等，以及光伏、風電等領域。受益于新能源汽車推廣，碳化硅功率器件市場有望迎來快速增長。資料顯示，到2025年，新能源汽車與充電樁領域的碳化硅市場將達17.78億美元(約合人民幣116.81億元)，約占碳化硅總市場規模的七成。

“希望到2025年，碳化硅的供應商有足夠的產能，否則這個行業或許會面臨供需不平衡問題。”半導體研究咨詢公司Yole功率與無線部門總監克萊爾·特勞德克指出，碳化硅模塊在IGBT市場的應用不斷增長，碳化硅技術及基礎器件未來發展空間巨大，這也是越來越多企業在這個領域加大投入的原因。

北京天科合達半導體股份有限公司副總經理劉春俊表示，由于碳化硅具有開關速度快、開關損耗小的優勢，是實現新能源汽車電機控制器功率密度提升的關鍵要素。事實上，行業人士已形成共識，第三代半導體碳化硅的普及和應用是電驅動系統發展的必然趨勢。

據記者了解，采用碳化硅器件的電驅系統，體積可減小40%，重量可減輕30%，效率可提升10%。同時，碳化硅器件的能量損失更小。相較于硅基IGBT，采用碳化硅MOSFET的電動汽車，續駛里程更長，可增加5%～10%，因為減少能量損耗能夠直接提高車輛續駛里程。

得益于碳化硅材料的獨特優勢，近年來，產業鏈上下游企業紛紛對此展開布局。當前，碳化硅二極管和MOSFET管器件在新能源汽車的車載電源系統上已獲得應用，而行業也在期待碳化硅功率模塊在新能源汽車上全面替代硅基IGBT模塊。

特勞德克介紹稱，目前碳化硅市場占比不足4%，但到2026年前后，這個數字有望增至30%，氮化鎵占比或達5%，碳化硅和氮化鎵在今后的功率半導體市場會有更多的增長機會。

此外，儲能市場也是碳化硅應用的重要領域。根據中商情報網數據，使用碳化硅功率器件可使轉換效率從96%提高至99%以上，能量損耗降低50%以上，設備循環壽命提升50倍。

深圳古瑞瓦特新能源有限公司副總經理兼研發總監吳良材表示，發展家庭能源系統在歐美市場是比較流行的一個趨勢。整個家庭中的能源由光伏提供，包含光伏儲能與電動汽車。碳化硅高導熱性、高耐溫性、寬禁帶和高擊穿場強的性能非常適合這一場景應用。事實上，特斯拉就已構建一個以太陽能屋頂系統和Powerwall為核心的能源系統，其投建光儲充一體化超級充電站工作原理是將太陽能轉化為電能，并通過Powerwall存儲相關能量，并將這些電能再以充電的形式補給電動汽車，由此形成一個能量使用的閉環。

全產業鏈布局競爭暗流涌動

當前，全球多個國家和地區對碳化硅的發展都有比較明確的產業政策，企業間的競爭也不斷加速。目前，碳化硅器件市場的頭部企業包括意法半導體、Wolfspeed、羅姆半導體、英飛凌、艾森美、三菱電機等。這些企業對于碳化硅板塊未來的預期都非常高。

一些整車企業在碳化硅的應用上也較為積極。特斯拉是率先使用碳化硅功率器件的車企，其Model 3、Model Y采用意法半導體的碳化硅MOSFET模塊，顯著提升了車輛續駛里程和其他性能。2020年，比亞迪高端車型“漢”也配裝碳化硅功率模塊。比亞迪預計到2023年，將在旗下電動汽車上實現碳化硅器件對硅基IGBT器件的全面替代。

據悉，不少車企已將碳化硅電機控制器列入新項目開發計劃。小鵬汽車、蔚來汽車都官宣，要使用碳化硅的工藝器件模塊。此外，豐田、大眾、北汽、一汽、理想汽車業都有使用碳化硅工藝器件的計劃。

在劉春俊看來，國際上碳化硅的產業鏈已完全成熟，中國的碳化硅產業鏈發展比較快，目前形成了完全的產業鏈，從襯底-外延-器件-應用，我國企業都占據了一定的市場份額和地位。

以英飛凌的IGBT為例，國內企業的IGBT產品與之相比至少還有兩代以上的差距，約為8～10年。因此，國內碳化硅企業肩負著攻克“卡脖子”技術的使命。

有業內人士對記者表示，國內外約有碳化硅器件企業20多家，能夠供應碳化硅MOSFET的企業也不斷出現。自主碳化硅器件與碳化硅電機的商業化落地，不僅意味著新技術的飛躍，而且將進一步打破IGBT被外資企業壟斷的局面。

據劉春俊介紹，天科合達半導體完成了6英寸導電型和半圓型碳化硅襯底的產業化，“未來5年，6英寸產品將是市場的主流，8英寸產品也在逐步量產，我們計劃明年實現量產，其他家也在積極做量產的準備。”

“隨著技術的進步和成本的降低，未來碳化硅將會在更多的領域得到應用。”南京大學教授李哲洋稱，碳化硅芯片在較高的溫度下工作，同時擁有低的損耗(導通損耗和開關損耗)，系統集成的時候使用較小的冷卻系統，在提高效率的同時系統耗損減少，適用于新能源汽車快充。

產業化仍需跨越諸多挑戰

“十四五”規劃指出，要推動第三代半導體產業迅速發展。我國也陸續出臺相關政策，為第三代半導體產業的發展提供支持。

近日，北京市印發《北京市“十四五”時期國際科技創新中心建設規劃》，提出支持開展關鍵新材料“卡脖子”技術攻關，搭建硅基光電子、第三代半導體器件等重點領域共性技術平臺，加速技術及產品研發進程;圍繞碳化硅、氮化鎵等高品質材料、器件、核心設備，打造第三代半導體高端產業鏈。

今年3月，科技部正式批復了《支持廣東省建設國家第三代半導體創新中心》，支持設置深圳平臺，聚焦第三代半導體關鍵核心技術和重大應用突破，統籌全國優勢力量為第三代半導體提供源頭技術供給，推動我國第三代半導體產業創新能力整體躍升。

基本半導體汽車行業總監文宇對記者表示，新能源汽車的快速增長將極大地提升碳化硅功率模塊的需求，預計行業將在2023年迎來碳化硅電機控制器的量產爆發。

根據Yole公司的研究，2018年碳化硅功率器件市場規模約4億美元，2024年這個數字將增至50億美元，年復合增速約51%，而2027年碳化硅功率器件市場規模有望達到172億美元。雖然市場空間巨大，但碳化硅的大規模商用仍需跨越多個方面的關卡。

“成本一直是碳化硅器件應用的一只攔路虎。”李哲洋介紹稱，目前有幾個途徑可降低成本，一是擴產，幾家大型供應商進行了較大規模的擴產，并進一步加大相關投入;二是技術創新，例如豐田采用表面納米工藝，實現了零缺陷的6英寸襯底，從而大大提高了其使用效率，日本住友通過溶液單晶生長方法，最近獲得了了使用面積高達99%的6英寸襯底，生長速率達到了2毫米/小時。

此外，碳化硅產品還面臨可靠性和應用方面的挑戰。據悉，目前掌握MOSFET氧化層核心技術的公司較少;針對一些應用場景，碳化硅的解決方案設計難度增加;新冠肺炎疫情的反復降低了工作效率。

業內人士告訴記者，碳化硅良品率提升是產業發展的關鍵，碳化硅長晶技術難度較高，良品率提升困難，如果碳化硅生產良品率不及預期，第三代半導體應用普及速度面臨挑戰。

劉春俊稱，碳化硅未來將朝著大尺寸特別是8英寸發展，此外會不斷降低成本，并減小缺陷密度，提供高質量產品。

“從系統集成的角度，如何平衡碳化硅產品的優勢和挑戰以及成本問題，是產業界需要共同探討和解決的問題。”采埃孚(中國)投資有限公司電控開發高級經理魏俊生指出，“這些方面其實是相輔相成的，通過更好的系統集成和更好的產品應用，能實現器件成本的優化。”